Loading...
Bienvenue sur la collection HAL du laboratoire de GEMaC
Quelques conseils pour une publication "idéHALe"
• Pensez à respecter la signature institutionnelle
Université Paris-Saclay, UVSQ, CNRS, GEMaC, 78000, Versailles, France.
• Participez à l'accès ouvert
N'attendez pas : dès que votre article est en ligne, déposez dans Hal sa version acceptée pour publication et indiquez un embargo de 6 mois.
La loi pour une république numérique vous autorise en effet à partager cette version 6 mois après publication, quel que soit l'éditeur.
Plus d'informations sur : Archives Ouvertes : quid de mes droits d'auteur ?
• Vous souhaitez disposer d'une page web référençant toutes vos publications ?
Créez vous en 5 minutes un idHal et un CVHAL
N'hésitez pas à nous contacter pour toutes questions, nous serons ravis d'échanger avec vous à l'adresse suivante : hal.bib@uvsq.fr
Dernières Publications en accès ouvert dans Hal
Mots clés
Nanostructures
Nickel
Hybrid perovskites
Oxides
Nanosheets
Ising model
Thin films
Conductivity
Colloidal semiconductor nanostructures
Boron
Amorphous carbon
Austenitic stainless steel
SIMS
Monte Carlo simulations
Irradiation defects
Boron doped diamond
Nanorods
Elasticity
Doping
ZnO nanowires
Spin-crossover
Heteroepitaxy
Optical microscopy
Cathodoluminescence
Diffusion
Boron doping
Plasmonique
Luminescence
TEM
Activation energy
Magnetic properties
SEMICONDUCTEUR
Excitons
Raman spectroscopy
Nanocristaux
Plasmonics
ZnGa2O4
Nanodiamond
XPS
Thermal hysteresis
4-dinitrotoluene DNT
Annealing
Hybrid perovskite
CATHODOLUMINESCENCE
Ferromagnetism
Energy transfer
Effets spatio-Temporels
Instrumentation
Nucleation
Bipolar diode
Nanoparticles
Carbon nitride
Hydrogen
Transition de spin
Modeling
Secondary ion mass spectrometry
Crystalline quality
Phase transition
Pulsed laser deposition
Transmission electron microscopy
Depth profiling
Thin film
Spin crossover
MOCVD
Chromium
Defect
Phase transitions
Defects
Diamond film
Alloy 600
X-ray diffraction
Electrical properties
Elastic frustration
Nanowires
Passivation
MESURE DE TEMPERATURE
MPCVD
Photoluminescence
Ising-like model
Delta-doping
Degradation
Perovskite
Iron
ZnO
Chrome
Nanocrystals
Chemical vapor deposition
Chemical Vapor Deposition CVD
Boron nitride nanotubes
Iridium
Chromium depletion
Spatio-Temporal effects
Molecular beam epitaxy
BORON NITRIDE
4H-SiC
Spin transition
Boron nitride
Bias enhanced nucleation BEN
Diamond
Hysteresis
Carte des collaborations