Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy - CentraleSupélec

Documentation
Français (FR)

Anglais (EN)

Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2006

Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy

(1) , (1) , (1) , ,

1

José Alvarez

Fonction : Auteur
PersonId : 5252
IdHAL : jose-alvarez
ORCID : 0000-0003-3558-8302
IdRef : 089018222

Laboratoire de génie électrique de Paris

Frédéric Houzé

Fonction : Auteur
PersonId : 13067
IdHAL : frederic-houze
ORCID : 0000-0001-8054-3184
IdRef : 15620584X

Laboratoire de génie électrique de Paris

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
PersonId : 5984
IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire de génie électrique de Paris

M. Liao

Fonction : Auteur

Y. Koide

Fonction : Auteur

Olivier Schneegans : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00320288

Soumis le : mercredi 10 septembre 2008-16:09:29

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Dates et versions

hal-00320288 , version 1 (10-09-2008)

Identifiants

HAL Id : hal-00320288 , version 1

Citer

José Alvarez, Frédéric Houzé, Jean-Paul Kleider, M. Liao, Y. Koide. Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy. Superlattices and Microstructures, 2006, 40, pp.343-349. ⟨hal-00320288⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE

68 Consultations

0 Téléchargements

Partager