Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy

José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Frédéric Houzé
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
M. Liao
  • Fonction : Auteur
Y. Koide
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00320298

Soumis le : mercredi 10 septembre 2008-16:26:00

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00320298 , version 1 (10-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00320298 , version 1

Citer

José Alvarez, Frédéric Houzé, Jean-Paul Kleider, M. Liao, Y. Koide. Electrical characterization of Schottky diodes based on boron doped homoepitaxial diamond films by conducting probe atomic force microscopy. E-MRS 2006, 2006, France. ⟨hal-00320298⟩

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