Technique du photocourant modulé pour la caractérisation des états localisés dans la bande interdite des semiconducteurs en couches minces - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Technique du photocourant modulé pour la caractérisation des états localisés dans la bande interdite des semiconducteurs en couches minces

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00321088

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-12:22:15

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321088 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321088 , version 1

Citer

Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider, Christophe Longeaud. Technique du photocourant modulé pour la caractérisation des états localisés dans la bande interdite des semiconducteurs en couches minces. Séminaire RDT photovoltaïque CNRS-ADEME, Matériaux et procédés pour la conversion photovoltaïque de l'énergie solaire, 2004, France. ⟨hal-00321088⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE
54 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More