Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunctions investigated by complementary experimental techniques and modelling - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunctions investigated by complementary experimental techniques and modelling

Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
R. Stangl
  • Fonction : Auteur
M. Schmidt
  • Fonction : Auteur
W. Fuhs
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321097

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-12:45:07

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321097 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321097 , version 1

Citer

Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, R. Stangl, M. Schmidt, W. Fuhs. Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunctions investigated by complementary experimental techniques and modelling. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2004, France. pp.687-700. ⟨hal-00321097⟩

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