Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2005
Olivier Schneegans : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://centralesupelec.hal.science/hal-00321234
Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-16:06:14
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00321234 , version 1
Citer
H. Belgacem, A. Merazga, Christophe Longeaud. Determination of defect levels parameters in semiinsulating GaAs:Cr from transient photocurrent experiment. Semiconductor Science and Technology, 2005, 20, pp.56-61. ⟨hal-00321234⟩
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