Light-intensity dependence of the steady state photoconductivity used to estimate the density of states in the gap of intrinsic semiconductors - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2005

Light-intensity dependence of the steady state photoconductivity used to estimate the density of states in the gap of intrinsic semiconductors

J.A. Schmidt
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321248

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-16:17:55

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

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Dates et versions

hal-00321248 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321248 , version 1

Citer

J.A. Schmidt, Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider. Light-intensity dependence of the steady state photoconductivity used to estimate the density of states in the gap of intrinsic semiconductors. Thin Solid Films, 2005, 493, pp.319-324. ⟨hal-00321248⟩

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