Characterization of a-Si:H/c-Si interface by admittance spectroscopy - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductors Année : 2005

Characterization of a-Si:H/c-Si interface by admittance spectroscopy

Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
E.I. Terukov
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321250

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-16:19:46

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321250 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321250 , version 1

Citer

Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, E.I. Terukov. Characterization of a-Si:H/c-Si interface by admittance spectroscopy. Semiconductors, 2005, 39, pp.903-909. ⟨hal-00321250⟩

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