Deep defects and their electron capture cross sections in polymorphous silicon-germanium thin films - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005

Deep defects and their electron capture cross sections in polymorphous silicon-germanium thin films

M. Meaudre
  • Fonction : Auteur
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
R. Meaudre
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
S. Vignoli
B. Canut
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321252

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-16:23:03

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-11:53:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321252 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321252 , version 1

Citer

M. Meaudre, Marie-Estelle Gueunier-Farret, R. Meaudre, Jean-Paul Kleider, S. Vignoli, et al.. Deep defects and their electron capture cross sections in polymorphous silicon-germanium thin films. Journal of Applied Physics, 2005, 98, pp.33531. ⟨hal-00321252⟩

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