Parameters of the density of states in the gap of defective semiconductors determined from photoconductivity measurements - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2006

Parameters of the density of states in the gap of defective semiconductors determined from photoconductivity measurements

J.A. Schmidt
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
R.R. Koropecki
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00321725

Soumis le : lundi 15 septembre 2008-17:19:50

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321725 , version 1 (15-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321725 , version 1

Citer

J.A. Schmidt, Christophe Longeaud, R.R. Koropecki, Jean-Paul Kleider. Parameters of the density of states in the gap of defective semiconductors determined from photoconductivity measurements. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, 352, pp.1024-1027. ⟨hal-00321725⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE
20 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More