Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells from admittance spectroscopy - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2006

Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells from admittance spectroscopy

Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
J. Damon-Lacoste
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Y. Veschetti
  • Fonction : Auteur
J.C. Muller
  • Fonction : Auteur
P.J. Ribeyron
  • Fonction : Auteur
E. Rolland
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321738

Soumis le : lundi 15 septembre 2008-17:39:41

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321738 , version 1 (15-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321738 , version 1

Citer

Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, J. Damon-Lacoste, Pere Roca I Cabarrocas, Y. Veschetti, et al.. Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells from admittance spectroscopy. Thin Solid Films, 2006, 511-512, pp.385-389. ⟨hal-00321738⟩

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