Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation

S. Gautier
  • Fonction : Auteur
C. Sartel
  • Fonction : Auteur
J. Martin
  • Fonction : Auteur
Sidi Ould Saad
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
P. Bonanno
  • Fonction : Auteur
A. Sirenko
  • Fonction : Auteur
F. Mériche
  • Fonction : Auteur
A. Boudrioua
  • Fonction : Auteur
Zakaria Djebbour
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Cyril Bazin
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
F. Jomard
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321872

Soumis le : mardi 16 septembre 2008-10:14:33

Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321872 , version 1 (16-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321872 , version 1

Citer

S. Gautier, C. Sartel, J. Martin, Sidi Ould Saad, P. Bonanno, et al.. Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation. 25èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, 2006, France. ⟨hal-00321872⟩

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