Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation - Archive ouverte HAL Access content directly
Conference Papers Year : 2006

Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation

S. Gautier
  • Function : Author
C. Sartel
  • Function : Author
J. Martin
Sidi Ould Saad
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
P. Bonanno
  • Function : Author
A. Sirenko
  • Function : Author
F. Mériche
  • Function : Author
A. Boudrioua
  • Function : Author
Zakaria Djebbour
  • Function : Author
Laboratoire de génie électrique de Paris
Cyril Bazin
  • Function : Author
Laboratoire de génie électrique de Paris
F. Jomard
  • Function : Author
A. Ougazzaden

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https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-00321872

Submitted on : Tuesday, September 16, 2008-10:14:33 AM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:52:50 PM

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Dates and versions

hal-00321872 , version 1 (16-09-2008)

Identifiers

  • HAL Id : hal-00321872 , version 1

Cite

S. Gautier, C. Sartel, J. Martin, Sidi Ould Saad, P. Bonanno, et al.. Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation. 25èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, 2006, France. ⟨hal-00321872⟩

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