Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - CentraleSupélec

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Conference Papers Year :

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

(1) , , (1) , , (1) , , (1)

1

Yrebegnan Moussa Soro

Function : Author

Laboratoire de génie électrique de Paris

A. Abramov

Function : Author

Marie-Estelle Gueunier-Farret

Function : Author
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IdHAL : marie-gueunier-farret
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Laboratoire de génie électrique de Paris

E.V. Johnson

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IdHAL : erikvjohnson
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Christophe Longeaud

Function : Author
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IdHAL : christophe-longeaud
IdRef : 076747425

Laboratoire de génie électrique de Paris

Pere Roca I Cabarrocas

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Jean-Paul Kleider

Function : Author
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Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans : Connect in order to contact the contributor

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-00322281

Submitted on : Wednesday, September 17, 2008-11:05:51 AM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:52:51 PM

Dates and versions

hal-00322281 , version 1 (17-09-2008)

Identifiers

HAL Id : hal-00322281 , version 1

Cite

Yrebegnan Moussa Soro, A. Abramov, Marie-Estelle Gueunier-Farret, E.V. Johnson, Christophe Longeaud, et al.. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States. ⟨hal-00322281⟩

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