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Communication Dans Un Congrès Année : 2007

High diffusion length silicon germanium alloys thin films deposited by pulsed rf PECVD method

P. Chaudhuri
  • Fonction : Auteur
A. Bhaduri
  • Fonction : Auteur
A. Bandyopadhyay
  • Fonction : Auteur
S. Vignoli
P.P. Ray
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00322282

Soumis le : mercredi 17 septembre 2008-11:08:17

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-11:53:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00322282 , version 1 (17-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322282 , version 1

Citer

P. Chaudhuri, A. Bhaduri, A. Bandyopadhyay, S. Vignoli, P.P. Ray, et al.. High diffusion length silicon germanium alloys thin films deposited by pulsed rf PECVD method. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States. ⟨hal-00322282⟩

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