Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2008

Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates

A. Ougazzaden
D. J. Rogers
  • Fonction : Auteur
F. Hosseini Teherani
  • Fonction : Auteur
T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
T. Aggerstam
  • Fonction : Auteur
S. Ould Saad
CV
J. Martin
  • Fonction : Auteur
Zakaria Djebbour
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
O. Durand
  • Fonction : Auteur
G. Garry
  • Fonction : Auteur
A. Lusson
  • Fonction : Auteur
D. Mcgrouther
  • Fonction : Auteur
J.N. Chapman
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350864

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-16:53:17

Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350864 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350864 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, T. Moudakir, S. Gautier, et al.. Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, 2008, pp.944. ⟨hal-00350864⟩

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