New method for interface characterization in heterojunction solar cells based on diffusion capacitance measurements - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2008

New method for interface characterization in heterojunction solar cells based on diffusion capacitance measurements

A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Rémy Chouffot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
N.A. Kaluzhniy
  • Fonction : Auteur
V. Lantratov
  • Fonction : Auteur
S.A. Mintairov
  • Fonction : Auteur
J. Damon-Lacoste
  • Fonction : Auteur
D. Eon
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
P.J. Ribeyron
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350881

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-17:03:43

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350881 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350881 , version 1

Citer

A.S. Gudovskikh, Rémy Chouffot, Jean-Paul Kleider, N.A. Kaluzhniy, V. Lantratov, et al.. New method for interface characterization in heterojunction solar cells based on diffusion capacitance measurements. Thin Solid Films, 2008, 516, pp.6786. ⟨hal-00350881⟩

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