AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2008

AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas

S. Gautier
  • Fonction : Auteur
T. Aggerstam
  • Fonction : Auteur
A. Pinos
  • Fonction : Auteur
S. Marcinkevicius
  • Fonction : Auteur
K. Liu
  • Fonction : Auteur
M. Shur
  • Fonction : Auteur
S.M. O'Malley
  • Fonction : Auteur
A.A. Sirenko
  • Fonction : Auteur
Zakaria Djebbour
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Anne Migan-Dubois
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350914

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-17:37:51

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350914 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350914 , version 1

Citer

S. Gautier, T. Aggerstam, A. Pinos, S. Marcinkevicius, K. Liu, et al.. AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas. Journal of Crystal Growth, 2008, 310, pp.4927. ⟨hal-00350914⟩

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