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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas

S. Gautier
  • Fonction : Auteur
T. Aggerstam
  • Fonction : Auteur
A. Pinos
  • Fonction : Auteur
S. Marcinkevicius
  • Fonction : Auteur
K. Liu
  • Fonction : Auteur
M. Shur
  • Fonction : Auteur
S.M. O'Malley
  • Fonction : Auteur
A.A. Sirenko
  • Fonction : Auteur
Zakaria Djebbour
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Anne Migan-Dubois
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00351257

Soumis le : jeudi 8 janvier 2009-17:36:33

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00351257 , version 1 (08-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00351257 , version 1

Citer

S. Gautier, T. Aggerstam, A. Pinos, S. Marcinkevicius, K. Liu, et al.. AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas. 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (14th IC-MOVPE), Jun 2008, Metz, France. pp.0. ⟨hal-00351257⟩

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