Electrical properties of V2O5 thin films obtained by Atomic Layer Deposition (ALD) - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Materials Chemistry Année : 2004

Electrical properties of V2O5 thin films obtained by Atomic Layer Deposition (ALD)

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00352361

Soumis le : lundi 12 janvier 2009-18:21:51

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-00352361 , version 1 (12-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00352361 , version 1

Citer

Jean-Claude Badot, A. Mantoux, Noël Baffier, Olivier Dubrunfaut, Daniel Lincot. Electrical properties of V2O5 thin films obtained by Atomic Layer Deposition (ALD). Journal of Materials Chemistry, 2004, 14, pp.3411-3415. ⟨hal-00352361⟩

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