Characterization of defect levels in semi−insulating 6H−SiC by means of photoinduced transient spectroscopyand modulated photocurrent technique - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics: Condensed Matter Année : 2009

Characterization of defect levels in semi−insulating 6H−SiC by means of photoinduced transient spectroscopyand modulated photocurrent technique

Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
P. Kaminski
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R. Kozlowski
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M. Miczuga
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Soumis le : lundi 11 janvier 2010-16:15:27

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Dates et versions

hal-00445958 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00445958 , version 1

Citer

Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider, P. Kaminski, R. Kozlowski, M. Miczuga. Characterization of defect levels in semi−insulating 6H−SiC by means of photoinduced transient spectroscopyand modulated photocurrent technique. Journal of Physics: Condensed Matter, 2009, 21, pp. 045801-045815. ⟨hal-00445958⟩

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