Study of the interfacial properties of amorphous Silicon n type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Study of the interfacial properties of amorphous Silicon n type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements

Wilfried Favre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
M. Labrune
  • Fonction : Auteur
Foudil Dadouche
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00446015

Soumis le : lundi 11 janvier 2010-17:01:41

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00446015 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00446015 , version 1

Citer

Wilfried Favre, M. Labrune, Foudil Dadouche, A.S. Gudovskikh, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. Study of the interfacial properties of amorphous Silicon n type crystalline Silicon heterojunction through static coplanar conductance measurements. 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS23, 2009, Utrecht, Netherlands. ⟨hal-00446015⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE
51 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More