Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires

José Alvarez
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Simon Perraud
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00555247 , version 1 (12-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00555247 , version 1

Citer

José Alvarez, Irène Ngo, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider, Simon Perraud. Electrical characterization of phosphorus doped silicon nanowires. MRS Spring Meeting, Apr 2010, San Francisco, United States. ⟨hal-00555247⟩
45 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More