Nouvelle formulation de facteur de mérite pour la conception d'amplificateur intégré en classe commutée
Abstract
Dans le contexte des radiocommunications mobiles et liaisons de connectivité (1-6 GHz), l'architecture d'un émetteur nomade de type multiradio est source de nombreux verrous technologiques, parmi lesquels la conception de l'étage de puissance. Dans cet article, un nouveau facteur de mérite qui permet un choix optimum d'un transistor pour la conception de l'amplificateur à haut rendement est discuté. Ce facteur repose principalement sur le modèle équivalent du transistor en mode bloqué et en mode saturé. La conception de trois amplificateurs en classe E permet de valider le facteur de mérite proposé.