Etude structurelle de l'InGaN en fonction de l'épaisseur et de la concentration d'indium - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00710796 , version 1 (21-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00710796 , version 1

Citer

Vanessa Gorge, K. Pantzas, Anne Migan-Dubois, Christelle Pareige, Zakaria Djebbour, et al.. Etude structurelle de l'InGaN en fonction de l'épaisseur et de la concentration d'indium. Journées Nationales Photovoltaïques 2011, Dec 2011, Dourdan, France. ⟨hal-00710796⟩
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