RF power influence on structural and electrical properties of µc-Si1-xCx:H - CentraleSupélec

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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

RF power influence on structural and electrical properties of µc-Si1-xCx:H

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Sofia Gaiaschi

Fonction : Auteur

Laboratoire de génie électrique de Paris

Marie-Estelle Gueunier-Farret

Fonction : Auteur
PersonId : 14061
IdHAL : marie-gueunier-farret
ORCID : 0000-0003-1615-498X
IdRef : 166935093

Laboratoire de génie électrique de Paris

Christophe Longeaud

Fonction : Auteur
PersonId : 6409
IdHAL : christophe-longeaud
ORCID : 0000-0002-7175-3267
IdRef : 076747425

Laboratoire de génie électrique de Paris

E.V. Johnson

Fonction : Auteur
PersonId : 739097
IdHAL : erikvjohnson
ORCID : 0000-0003-0920-2111
IdRef : 253120209

Pavel Bulkin

Fonction : Auteur
PersonId : 180547
IdHAL : pavel-bulkin
ORCID : 0000-0001-5591-3470
IdRef : 253127122

P. Chapon

Fonction : Auteur

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
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IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire de génie électrique de Paris

Thierry Leblanc : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931310

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Dates et versions

hal-00931310 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-00931310 , version 1

Citer

Sofia Gaiaschi, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, E.V. Johnson, Pavel Bulkin, et al.. RF power influence on structural and electrical properties of µc-Si1-xCx:H. EUPVSEC 2013, Sep 2013, Paris, France. ⟨hal-00931310⟩

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