Characterization of the III-V/Ge interface by capacitance measurements for III-V multijunction solar cells development - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Characterization of the III-V/Ge interface by capacitance measurements for III-V multijunction solar cells development

K. S. Zelentsov
  • Fonction : Auteur
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
N.A. Kalyuzhnyy
  • Fonction : Auteur
V.M. Lantratov
  • Fonction : Auteur
S.A. Mintairov
  • Fonction : Auteur
José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931315

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:53

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931315 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931315 , version 1

Citer

K. S. Zelentsov, A.S. Gudovskikh, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, et al.. Characterization of the III-V/Ge interface by capacitance measurements for III-V multijunction solar cells development. E-MRS Spring Meeting 2013, May 2013, Strasbourg, France. ⟨hal-00931315⟩

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