Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation

Timothée Molière; N. Cherkasin; Charles Renard; A. Michel; G. Hallais; Laetitia Vincent; Daniel Bouchier

Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation

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Timothée Molière

Fonction : Auteur
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Laboratoire de génie électrique de Paris

N. Cherkasin

Fonction : Auteur

Charles Renard

Fonction : Auteur
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CV

A. Michel

Fonction : Auteur
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G. Hallais

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Laetitia Vincent

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Daniel Bouchier

Fonction : Auteur

Thierry Leblanc : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931329

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:54

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Dates et versions

hal-00931329 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-00931329 , version 1

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Timothée Molière, N. Cherkasin, Charles Renard, A. Michel, G. Hallais, et al.. Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation. JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France. ⟨hal-00931329⟩

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