Electrical properties of hydrogenated microcrystalline silicon carbon alloys: effect of deposition parameters and light soaking

Sofia Gaiaschi 1, 2 Marie-Estelle Farret-Gueunier 2 Christophe Longeaud 2 Eric Johnson 1
1 IMM - Institute for Microelectronics and Microsystems/ Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
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Article dans une revue
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2015, 48, pp.285101. 〈10.1088/0022-3727/48/28/285101〉
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Contributeur : Christophe Longeaud <>
Soumis le : mardi 16 février 2016 - 08:00:28
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

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Sofia Gaiaschi, Marie-Estelle Farret-Gueunier, Christophe Longeaud, Eric Johnson. Electrical properties of hydrogenated microcrystalline silicon carbon alloys: effect of deposition parameters and light soaking. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2015, 48, pp.285101. 〈10.1088/0022-3727/48/28/285101〉. 〈hal-01274543〉

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