Thermal transport along the dislocation line in silicon carbidev

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Contributeur : Sebastian Volz <>
Soumis le : mercredi 9 mars 2016 - 19:04:24
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:04

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  • HAL Id : hal-01285867, version 1

Citation

Yuxiang Ni, S.-Y. Xiong, Sebastian Volz, T. Dumitrica. Thermal transport along the dislocation line in silicon carbidev. Physical Review Letters, American Physical Society, 2014. 〈hal-01285867〉

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