Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowires

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Réunion plénière des GDR PULSE (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs) et NNS (NanoFils, Nanotubes, Semiconducteurs), Oct 2014, Toulouse, France
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Contributeur : Frédéric Houzé <>
Soumis le : mercredi 29 juin 2016 - 12:16:10
Dernière modification le : mercredi 23 mai 2018 - 15:52:16

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  • HAL Id : hal-01338879, version 1

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Nicolas Jamond, Pascal Chrétien, L Largeau, Olivia Mauguin, Elisabeth Galopin, et al.. Effect of the AlN interfacial layer on the piezoelectric properties of GaN nanowires. Réunion plénière des GDR PULSE (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs) et NNS (NanoFils, Nanotubes, Semiconducteurs), Oct 2014, Toulouse, France. 〈hal-01338879〉

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