Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01363690 , version 1 (11-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363690 , version 1

Citer

A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, D. A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A. S. Bukatin, et al.. Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics. Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2016, May 2016, Marseille, France. ⟨hal-01363690⟩
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