Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : dimanche 11 septembre 2016 - 10:23:43
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

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  • HAL Id : hal-01363690, version 1

Citation

A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, D. A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A. S. Bukatin, et al.. Atomic layer deposition of gallium phosphide for silicon based photovoltaics. Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2016, May 2016, Marseille, France. 〈hal-01363690〉

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