Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells

Gwenaëlle Hamon; Jean Decobert; N. Vaissiere; Raphaël Lachaume; Romain Cariou; Wanghua Chen; José Alvarez; Nada Habka; Jean-Paul Kleider; Pere Roca I. Cabarrocas

Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells

Gwenaëlle Hamon ^{1, 2} Jean Decobert ³ N. Vaissiere ¹ Raphaël Lachaume ⁴ Romain Cariou ^{3, 1} Wanghua Chen ¹ José Alvarez ⁴ Nada Habka ² Jean-Paul Kleider ⁴ Pere Roca I. Cabarrocas ¹

1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

2 Total New Energies

3 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

4 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Type de document :

Poster

43rd IEEE PV Specialists Conference, Jun 2016, Portland, United States

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

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https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01363728
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : dimanche 11 septembre 2016 - 14:58:36
Dernière modification le : samedi 24 novembre 2018 - 01:43:49

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