Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01363728
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : dimanche 11 septembre 2016 - 14:58:36
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363728, version 1

Citation

Gwenaëlle Hamon, Jean Decobert, N. Vaissiere, Raphaël Lachaume, Romain Cariou, et al.. Direct growth of crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: toward hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells. 43rd IEEE PV Specialists Conference, Jun 2016, Portland, United States. 〈hal-01363728〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

168