Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 11 novembre 2016 - 16:35:11
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

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  • HAL Id : hal-01395733, version 1

Citation

Alexander Korovin, J Alvarez, Jean-Paul Kleider. Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells. SiliconPV 2016, Mar 2016, Chambéry, France. 〈hal-01395733〉

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