Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

Alexander Korovin; J Alvarez; Jean-Paul Kleider

Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

Alexander Korovin ¹ J Alvarez ¹ Jean-Paul Kleider ¹

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Type de document :

Poster

SiliconPV 2016, Mar 2016, Chambéry, France

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01395733
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 11 novembre 2016 - 16:35:11
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

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