Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells - CentraleSupélec

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Poster De Conférence Année : 2016

Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells

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Alexander Korovin

Fonction : Auteur
PersonId : 5988
IdHAL : alexander-v-korovin
IdRef : 253127815

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

J Alvarez

Fonction : Auteur
PersonId : 5252
IdHAL : jose-alvarez
ORCID : 0000-0003-3558-8302
IdRef : 089018222

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
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IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01395733

Soumis le : vendredi 11 novembre 2016-16:35:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

Dates et versions

hal-01395733 , version 1 (11-11-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01395733 , version 1

Citer

Alexander Korovin, J Alvarez, Jean-Paul Kleider. Influence of the dopant penetration depth on the solar cell performance of n-type interdigitated back contact silicon solar cells. SiliconPV 2016, Mar 2016, Chambéry, France. ⟨hal-01395733⟩

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