Etude du Dopage de Graphène Epitaxial sur SiC(0001) par Spectroscopies de Photoélectrons - CentraleSupélec

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Etude du Dopage de Graphène Epitaxial sur SiC(0001) par Spectroscopies de Photoélectrons

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David Alamarguy

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Hakim Arezki

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Fethullah Gunes

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Alexandre Jaffré

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

José Alvarez

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Jean-Paul Kleider

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Mohamed Boutchich

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Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Keywords

XPS X-ray Photoélectron Spectroscopy Graphene SiC Doping effect

Domains

Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] Material chemistry Electronics

David Alamarguy : Connect in order to contact the contributor

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01449031

Submitted on : Monday, January 30, 2017-1:09:35 AM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:53:03 PM

Dates and versions

hal-01449031 , version 1 (30-01-2017)

Identifiers

HAL Id : hal-01449031 , version 1

Cite

David Alamarguy, Hakim Arezki, Fethullah Gunes, Alexandre Jaffré, José Alvarez, et al.. Etude du Dopage de Graphène Epitaxial sur SiC(0001) par Spectroscopies de Photoélectrons. ELSPEC'16, 7eme conférence francophone sur les spectroscopies d’électrons, May 2016, Meudon, France. ⟨hal-01449031⟩

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