An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon

A. Talneau; K. Pantzas; A. Durnez; G. Patriarche; D. Alamarguy; E. Le Bourhis

doi:10.1016/j.mee.2016.05.001

An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon

A. Talneau ¹ K. Pantzas ¹ A. Durnez ¹ G. Patriarche ¹ D. Alamarguy ² E. Le Bourhis ³

1 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

3 PPRIME - Institut Pprime

Keywords : ALD process Dangling bonds Hybrid interface Hybrid bonding XPS X-ray Photoélectron Spectroscopy III-V on Silicon SiO2 ALD layer

Type de document :

Article dans une revue

Microelectronic Engineering, Elsevier, 2016, 162, pp.40 - 44. 〈10.1016/j.mee.2016.05.001〉

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01449032
Contributeur : David Alamarguy <>
Soumis le : lundi 30 janvier 2017 - 01:48:03
Dernière modification le : samedi 8 décembre 2018 - 01:29:16

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