An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon

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Contributeur : David Alamarguy <>
Soumis le : lundi 30 janvier 2017 - 01:48:03
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:25

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Citation

A. Talneau, K. Pantzas, A. Durnez, G. Patriarche, D. Alamarguy, et al.. An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2016, 162, pp.40 - 44. 〈10.1016/j.mee.2016.05.001〉. 〈hal-01449032〉

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