Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01474776 , version 1 (23-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01474776 , version 1

Citer

Artem Baranov, A.S. Gudovskikh, I. Morozov, A. Mozharov, Arouna Darga, et al.. Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV 2016), Nov 2016, Dourdan, France. ⟨hal-01474776⟩
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