Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : jeudi 23 février 2017 - 10:45:13
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Identifiants

  • HAL Id : hal-01474776, version 1

Citation

Artem Baranov, A.S. Gudovskikh, I. Morozov, A. Mozharov, Arouna Darga, et al.. Electronic properties of thin GaP layers grown on silicon wafers. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV 2016), Nov 2016, Dourdan, France. 〈hal-01474776〉

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