Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures

Nicoletta Jegenyes 1 Martina Morassi 1 Pascal Chrétien 2 Laurent Travers 1 L Lu 3 Jean-Christophe Harmand 1 Frédéric Houzé 2 Maria Tchernycheva 3 Noelle Gogneau 1
1 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis]
2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
3 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay]
Type de document :
Communication dans un congrès
12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France
Liste complète des métadonnées
https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01591417
Contributeur : Frédéric Houzé <>
Soumis le : jeudi 21 septembre 2017 - 13:08:25
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

Identifiants

  • HAL Id : hal-01591417, version 1

Collections

CENTRALESUPELEC | GEEPS | UPMC | UNIV-PARIS-SACLAY | PHEMADIC

Citation

Nicoletta Jegenyes, Martina Morassi, Pascal Chrétien, Laurent Travers, L Lu, et al.. Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures. 12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France. 〈hal-01591417〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

135

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD