Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures

Type de document :
Communication dans un congrès
12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France
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Contributeur : Frédéric Houzé <>
Soumis le : jeudi 21 septembre 2017 - 13:08:25
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Identifiants

  • HAL Id : hal-01591417, version 1

Citation

Nicoletta Jegenyes, Martina Morassi, Pascal Chrétien, Laurent Travers, L Lu, et al.. Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures. 12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France. 〈hal-01591417〉

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