Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Frédéric Houzé  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01591417

Soumis le : jeudi 21 septembre 2017-13:08:25

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01591417 , version 1 (21-09-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01591417 , version 1

Citer

Nicoletta Jegenyes, Martina Morassi, Pascal Chrétien, Laurent Travers, L Lu, et al.. Piezoelectric conversion with InGaN/GaN nanowire heterostructures. 12th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 12, Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01591417⟩

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