Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells

Alexandre Jaffré; José Alvarez; Denis Mencaraglia; James Patrick Connolly; Timothée Molière; Jean-Paul Kleider; Laetitia Vincent; Géraldine Hallais; Charles Renard; Daniel Bouchier

Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells

Alexandre Jaffré ¹ José Alvarez ¹ Denis Mencaraglia ¹ James Patrick Connolly ² Timothée Molière ¹ Jean-Paul Kleider ¹ Laetitia Vincent ³ Géraldine Hallais ³ Charles Renard ³ Daniel Bouchier ³

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

2 Universidad Politécnica de Valencia

3 IEF - Institut d'électronique fondamentale

Type de document :

Poster

European Materials Research Society, May 2017, Strasbourg, France

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01629676
Contributeur : Alexandre Jaffré <>
Soumis le : lundi 6 novembre 2017 - 16:29:52
Dernière modification le : vendredi 13 avril 2018 - 19:54:13

Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

49

Contact

Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

49

Contact