Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells

Alexandre Jaffré (1) , José Alvarez (1) , Denis Mencaraglia (1) , James Patrick Connolly (2) , Timothée Molière (1) , Jean-Paul Kleider (1) , Laetitia Vincent (3) , Géraldine Hallais (3) , Charles Renard (3) , Daniel Bouchier (3)

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
2 UPV - Universitat Politècnica de València = Universitad Politecnica de Valencia = Polytechnic University of Valencia
3 IEF - Institut d'électronique fondamentale

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique / photonique; Matériaux

Alexandre Jaffré, José Alvarez, Denis Mencaraglia, James Patrick Connolly, Timothée Molière, et al.. Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells. European Materials Research Society, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01629676⟩