Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells

Gwenaelle Hamon; Nicolas Vaissière; Romain Cariou; Raphaël Lachaume; José Alvarez; Wanghua Chen; Jean-Paul Kleider; Jean Decobert; Pere Roca I Cabarrocas

doi:10.1117/1.JPE.7.022504

Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells

Gwenaelle Hamon ¹ Nicolas Vaissière ² Romain Cariou ¹ Raphaël Lachaume ³ José Alvarez ³ Wanghua Chen ⁴ Jean-Paul Kleider ³ Jean Decobert ⁵ Pere Roca I Cabarrocas ¹

1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

2 LIST - Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies

3 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

4 GPM - Groupe de physique des matériaux

5 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

Type de document :

Article dans une revue

Journal of photonics for energy, 2017, 7 (2), 〈10.1117/1.JPE.7.022504〉

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01632906
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:12:02
Dernière modification le : vendredi 16 novembre 2018 - 02:03:49

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