Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:12:02
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:31

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Citation

Gwenaelle Hamon, Nicolas Vaissière, Romain Cariou, Raphaël Lachaume, José Alvarez, et al.. Plasma-enhanced chemical vapor deposition epitaxy of Si on GaAs for tunnel junction applications in tandem solar cells. Journal of photonics for energy, 2017, 7 (2), 〈10.1117/1.JPE.7.022504〉. 〈hal-01632906〉

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