Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements

R Brüggemann; Ming Xu; J Alvarez; Mohamed Boutchich; Jean-Paul Kleider

Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements

R Brüggemann ¹ Ming Xu ¹ J Alvarez ¹ Mohamed Boutchich ¹ Jean-Paul Kleider ¹

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Type de document :

Poster

Silicon PV 2017, Apr 2017, Freiburg, Germany

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01632914
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:21:05
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

37

Contact

Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

37

Contact