Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:25:18
Dernière modification le : mardi 22 mai 2018 - 14:10:05

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  • HAL Id : hal-01632921, version 1

Citation

Gwenaëlle Hamon, Nicolas Vaissière, Jean Decobert, Raphaël Lachaume, Romain Cariou, et al.. Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells. 13th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV 13), May 2017, Ottawa, Canada. 〈hal-01632921〉

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