Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:33:11
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

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  • HAL Id : hal-01632928, version 1

Citation

A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, Artem Baranov, D. A. Kudryashov, et al.. Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD. Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2017, May 2017, Marseille, France. 〈hal-01632928〉

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