Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

A.S. Gudovskikh; A.V. Uvarov; I.A. Morozov; Artem Baranov; D. A. Kudryashov; Alexandra Levtchenko; Sylvain Le Gall; Jean-Paul Kleider

Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

A.S. Gudovskikh ¹ A.V. Uvarov ¹ I.A. Morozov ¹ Artem Baranov ¹ D. A. Kudryashov ¹ Alexandra Levtchenko ² Sylvain Le Gall ² Jean-Paul Kleider ²

1 Saint Petersburg Academic University

2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Type de document :

Communication dans un congrès

Photovoltaic Technical Conference, PVTC 2017, May 2017, Marseille, France

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01632928
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:33:11
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

75

Contact

Si doped n-type GaP layers grown on Si wafers by low-temperature PE-ALD

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

75

Contact