Characterization of GaP/Si heterojunctions by space charge capacitance measurements

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:46:40
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632942, version 1

Citation

Artem Baranov, Alexander S. Gudovskikh, I.A. Morozov, A. Mozharov, Ekaterina V. Nikitina, et al.. Characterization of GaP/Si heterojunctions by space charge capacitance measurements. E-MRS 2017 Spring Meeting, May 2017, Strasbourg, France. 〈hal-01632942〉

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