Wafer-scale epitaxial lift-off of optoelectronic grade GaN from a GaN substrate using a sacrificial ZnO interlayer

Akhil Rajan; David J Rogers; Cuong Ton-That; Liangchen Zhu; Matthew R Phillips; Suresh Sundaram; Simon Gautier; Tarik Moudakir; Youssef El-Gmili; Abdallah Ougazzaden; Vinod E Sandana; Ferechteh H Teherani; Philippe Bove; Kevin A Prior; Zakaria Djebbour; Ryan Mcclintock; Manijeh Razeghi

doi:10.1088/0022-3727/49/31/315105

Wafer-scale epitaxial lift-off of optoelectronic grade GaN from a GaN substrate using a sacrificial ZnO interlayer

Akhil Rajan ¹ David J Rogers ² Cuong Ton-That ³ Liangchen Zhu ³ Matthew R Phillips ³ Suresh Sundaram ⁴ Simon Gautier ⁴ Tarik Moudakir ⁴ Youssef El-Gmili ⁴ Abdallah Ougazzaden ⁴ Vinod E Sandana ² Ferechteh H Teherani ² Philippe Bove ² Kevin A Prior ¹ Zakaria Djebbour ^{5, 6} Ryan Mcclintock ⁷ Manijeh Razeghi ⁷

1 HWU - Heriot-Watt University [Edinburgh]

2 Nanovation - Nanovation SARL

3 UTS - University of Technology Sydney

4 UMI2958 - Georgia Tech - CNRS [Metz]

5 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

6 UVSQ - Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines

7 Northwestern University [Evanston]

Type de document :

Article dans une revue

Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (31), 〈10.1088/0022-3727/49/31/315105〉

Domaine :

Physique [physics]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01632945
Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:49:16
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

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