Wafer-scale epitaxial lift-off of optoelectronic grade GaN from a GaN substrate using a sacrificial ZnO interlayer

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Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (31), 〈10.1088/0022-3727/49/31/315105〉
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Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 17:49:16
Dernière modification le : vendredi 31 août 2018 - 08:54:38

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Akhil Rajan, David J Rogers, Cuong Ton-That, Liangchen Zhu, Matthew R Phillips, et al.. Wafer-scale epitaxial lift-off of optoelectronic grade GaN from a GaN substrate using a sacrificial ZnO interlayer. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (31), 〈10.1088/0022-3727/49/31/315105〉. 〈hal-01632945〉

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