Low temperature plasma epitaxy of Silicon on III-V for tandem solar cells

Gwenaelle Hamon; Nicolas Vaissière; Romain Cariou; Wanghua Chen; Martin Foldyna; Raphaël Lachaume; Jean-Luc Maurice; José Alvarez; Jean Decobert; Jean-Paul Kleider; Pere Roca I. Cabarrocas

Low temperature plasma epitaxy of Silicon on III-V for tandem solar cells

Gwenaelle Hamon ¹ Nicolas Vaissière ¹ Romain Cariou ¹ Wanghua Chen ¹ Martin Foldyna ¹ Raphaël Lachaume ² Jean-Luc Maurice ¹ José Alvarez ² Jean Decobert ³ Jean-Paul Kleider ² Pere Roca I. Cabarrocas ¹

1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

3 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

Type de document :

Communication dans un congrès

International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-16), Jul 2017, Hannover, Germany

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01632964
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 18:13:21
Dernière modification le : mercredi 23 janvier 2019 - 10:29:03

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