Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : vendredi 10 novembre 2017 - 18:17:03
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632966, version 1

Citation

Alexander S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, I.A. Morozov, Artem Baranov, A.V. Uvarov, et al.. Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates. ICANS27, The 27th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2017, Seoul, South Korea. 〈hal-01632966〉

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