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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01632966 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632966 , version 1

Citer

Alexander S. Gudovskikh, D. A. Kudryashov, I.A. Morozov, Artem Baranov, A.V. Uvarov, et al.. Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of GaP films on Si substrates. ICANS27, The 27th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2017, Seoul, South Korea. ⟨hal-01632966⟩
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