Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires

Audrey Morisset (1, 2, 3) , Raphaël Cabal (2) , Bernadette Grange , J Alvarez (1) , Marie-Estelle Gueunier-Farret (1) , Jean-Paul Kleider (1) , Sebastien Dubois (2)

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
2 INES - Institut National de L'Energie Solaire
3 IPVF - Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE)

Domains: Physics [physics]; Condensed Matter [cond-mat]; Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]; Engineering Sciences [physics]; Micro and nanotechnologies/Microelectronics; Engineering Sciences [physics]; Electric power; Engineering Sciences [physics]; Optics / Photonic; Engineering Sciences [physics]; Materials

Audrey Morisset, Raphaël Cabal, Bernadette Grange, J Alvarez, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires. Journées Nationales du Photovoltaïque 2017, Dec 2017, Dourdan, France. ⟨hal-01633178⟩