Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01633178
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : samedi 11 novembre 2017 - 17:27:14
Dernière modification le : dimanche 4 novembre 2018 - 14:46:07

Identifiants

  • HAL Id : hal-01633178, version 1

Citation

Audrey Morisset, Raphaël Cabal, Bernadette Grange, J Alvarez, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Développement de poly-silicium dope Bore par voie PECVD pour la passivation des contacts des cellules solaires. Journées Nationales du Photovoltaïque 2017, Dec 2017, Dourdan, France. 〈hal-01633178〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

200